تماس

آرشیو

English

فارسی

صفحه اصلی

 

 

 

 

 سایت های برگزیده

 

انتشارات ققنوس

هوپا

انجمن نجوم آماتوری ایران

آموزش فیزیک

 فیزیک شیمی

وبلاگ علمی جام جم

  رشد  

هومن الماسی

 موج نیوز

 آرمان و اندیشه

علم برتر

 پارس اسکای

گوشه ای از فیزیک

ییکران علم 

کلوپ دانش

 ایران نانو

دانش فضايي  

 بنیاد نیشابور 

خبرهاي هوافضايي

 

منابع سی.پی.اچ.

 

 

LEIBNIZ'S MONADS AND JAVADI'S CPH

World Science Database

General Science Journal

Hadronic Journal

National Research Council Canada

 

 

 بروز رسانی 1390/10/10

 

 

باریکه یونی متمرکز (FIB)

 

 

 
 

 

 

چکيده:

سيستم‌هاي باريکه يوني متمرکز به صورت تجاري در حدود 10 سال است که توليد مي‌شوند. در ابتدا کاربرد آنها فقط در صنعت نيمه‌هادي بوده است. اين دستگاه‌ بيشتر شبيه دستگاه ميکروسکوپي الکتروني روبشي عمل مي‌کند با اين تفاوت که در دستگاه‌هاي FIB به جاي اشعه الکتروني از اشعه يون‌هاي گاليم استفاده مي‌شود.

 

ریکه یونی متمرکز (FIB)

سيستم‌هاي باریکه یونی متمرکز به صورت تجاري در حدود 10 سال است که توليد مي‌شوند. در ابتدا کاربرد آنها فقط در صنعت نيمه‌هادي بوده است. این دستگاه‌ بیشتر شبيه دستگاه میکروسکوپی الکترونی روبشی عمل مي‌کند با اين تفاوت که در دستگاه‌هاي FIB به جاي اشعه الکتروني از اشعه يون‌هاي گاليم استفاده مي‌شود.

دستگاه FIB در جريانهاي پايين اشعه يون‌هاي گاليم براي تصويربرداري و در جريان‌هاي بالاي يون‌هاي گاليم براي اهداف بخصوصي مانند ماشين‌کاري و يا پاشش اتمي استفاده مي‌شود. همانطور که در شکل (1) مشاهده مي‌شود اشعه يون‌هاي Ga به سطح نمونه برخورد مي‌کند و مقداري از اتم‌هاي سطحي را به صورت يون‌هاي مثبت يا منفي و يا به صورت اتم‌هاي خنثي از سطح خارج مي‌کند. همچنین از برخورد اشعه یونهای گالیم با سطح الکترونهاي ثانويه توليد مي‌شود[1]

 

شكل 1- شماتیکی از عملکرد دستگاه FIB

 

از سيگنال‌هاي ناشي از يون‌هاي خارج شده از سطح و يا الکترون‌هاي ثانويه براي تصوير برداري استفاده مي‌شود. در جريان‌هاي پايين مقدار کمي از ماده از سطح خارج و کنده مي‌شود. بنابراين مي‌توان تصاويري با قدرت تفکيک چند نانومتر بدست آورد. در جريان‌هاي بالاتر نيز مقدار زيادي از سطح کنده مي‌شود و مي‌توان براي ماشين‌کاري مواد در مقياس زير ميکرومتر استفاده کرد.

در نمونه‌هاي نارسانا از يک تفنگ الکتروني کم انرژي براي خنثي‌سازي استفاده مي‌شود. در اين حالت همچنين مي‌توان نمونه‌هاي نارسانا را بدون پوشش‌دهي و رسانا کردن تصويربرداري و يا ماشين‌کاري کرد.

 

شکل(2) شماتیکی از ساختمان دستگاه FIB

قابل ذکر است که در دستگاه هاي SEM پوشش‌دهي نمونه‌هاي نارسانا براي تصويربرداري مورد نياز مي‌باشد. علاوه بر اشعه يوني اوليه، مي‌توان از اشعه يون‌هاي ديگر نيز بر روي نمونه استفاده کرد. اين گازها مي‌توانند با اشعه گاليم اوليه واکنش داده و به عنوان اچ کننده انتخابی سطح به کار روند و يا براي رسوب‌دهي مواد رسانا و يا نارسانا توسط اشعه يون‌هاي اوليه به کار روند.

تا به امروز بيشترين کاربرد دستگاه FIB در صنعت نيمه‌هادي بوده است. برخي از اين کاربردها عبارتند از : آناليز عيوب، بهسازي مدار، تعمير ماسک‌ها و آماده سازي نمونه‌هاي TEM.

امروزه FIBها قدرت تفکيک بالايي دارند و مي‌توان از آنها براي ماشين‌کاري نمونه‌ها به صورت درجا استفاده کرده و همچنين در حین ماشینکاری از نمونه تصويربرداري کرد. علاوه بر کاربردهاي FIB در نيمه‌هادي‌ها اين دستگاه در علم مواد نيز کاربردهاي بسيار زيادي دارد. از قبيل اندازه‌گيري رشد ترک، تغيير فرم کامپوزيت‌هاي زمينه فلزي، چسبندگي پوشش‌هاي پليمري و غيره

قابليت‌هاي دستگاه FIB در نيمه‌هادي‌ها و مهندسي مواد: [2]

1- اچ کردن به کمک گازهاي XeF و XeCl 

2- رسوب‌دهي فلزات

3- ماشين‌کاري مواد تا قدرت تفکيک چند ده نانومتر

4- تصويرگيري از سطوح با استفاده از الکترون‌ها و يون‌هاي ثانويه( اين تصاوير مي‌توانند با تصاوير SEM رقابت داشته باشند).

5- تصويرگيري از کنتراست دانه‌ها بدون اچ کردن ماده 

6- بررسي وضعيت شيميايي سطوح به خصوص در مطالعات خوردگي 

7-مقطع زني و تصوير برداري از سطوح 

مراجع: 

1- http://www.fibics.com

2- http://www.iisb.fraunhofer.de

 

ضمیمه1- لیست مدل های جدید دستگاه FIB

اسم

مدل

شركت

كشور

قدرت تفكيك

FIB

Accura TM850+

FEI company

آمريكا

قطر اشعه 20 نانومتر

FIB

Accura TMXT

FEI Company

آمريكا

قطر اشعه 20 نانومتر

FIB

×1s40

Zeiss

آلمان

7 نانومتر در 30 تا( 5 نانومتر هم مي‌توان رسيد)

FIB

×1S60

Zeiss

آلمان

7 نانومتر در 30 تا( 5 نانومتر هم مي‌توان رسيد)

FIB

1S40ESB

Zeiss

آلمان

7 نانومتر در 30 تا( 5 نانومتر هم مي‌توان رسيد)

FIB

SEIKOFIB

Jeol

آمريكا

قطر اشعه 10 نانومتر

FIB

JFS-98SSS

Jeol

آمريكا

قطر اشعه 10 نانومتر

FIB

JEM-931OFIB

Jeol

آمريكا

8 نانومتر در 30

FIB

SMI2000

SII Nano technologyInc

ژاپن

5 نانومتر در 30

FIB

SMI3050

SII Nano technologyInc

ژاپن

4 نانومتر در 30

FIB

SMI3200

SII Nano technologyInc

ژاپن

4 نانومتر در 30

FIB

SMI3300

SII Nano technologyInc

ژاپن

4 نانومتر در 30

FIB/SEM

SMI30SOSE

SII Nano technologyInc

ژاپن

4 نانومتر در 30

FIB/SEM

SMI320OSE

SII Nano technologyInc

ژاپن

4 نانومتر در 30

FIB/SEM

SMI330OSE

SII Nano technologyInc

ژاپن

4 نانومتر در 30

 

نويسنده : علي اصغر عرب 
منبع
: ایران نانون


 

 

 

 

 
 

 
 


 

 

 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 آخرین مقالات

 

 


 

 آرشیو موضوعی

 اخبار

اجتماعی

الکترومغناطیس

بوزونها

ترمودینامیک

ذرات زیر اتمی

زندگینامه ها

کامپیوتر

فیزیک عمومی

فیزیک کلاسیک

فلسفه فیزیک

مکانیک کوانتوم

نانو تکنولوژی

نجوم

نسبیت

 ریسمانها

سی.پی.اچ.

 

 

مطالب جدید

مقالات و اخبار جدید

برگزیده ها

نظر خوانندگان

 مرکز پخش

 اروپا و آمریکا

تهران _آزاده

66414374 

نوپردازان

66494409

free hit counters

 

 

کپی برداری با ذکر منبع، مجاز است.

 

@2003-2012 The CPH theory, All right reserved