English

Contact us

نظر دهید

تماس با ما

فارسی

Welcome to CPH Theory Siteبه سایت نظریه سی پی اچ خوش آمدید

 

 

نظریه سی پی اچ بر اساس تعمیم سرعت نور از انرژی به ماده بنا شده است.

اخبار

آرشیو مقالات

 

سی پی اچ در ژورنالها

   

 

باریکه یونی متمرکز (FIB)

 

 

چکيده:

سيستم‌هاي باريکه يوني متمرکز به صورت تجاري در حدود 10 سال است که توليد مي‌شوند. در ابتدا کاربرد آنها فقط در صنعت نيمه‌هادي بوده است. اين دستگاه‌ بيشتر شبيه دستگاه ميکروسکوپي الکتروني روبشي عمل مي‌کند با اين تفاوت که در دستگاه‌هاي FIB به جاي اشعه الکتروني از اشعه يون‌هاي گاليم استفاده مي‌شود.

 

ریکه یونی متمرکز (FIB)

سيستم‌هاي باریکه یونی متمرکز به صورت تجاري در حدود 10 سال است که توليد مي‌شوند. در ابتدا کاربرد آنها فقط در صنعت نيمه‌هادي بوده است. این دستگاه‌ بیشتر شبيه دستگاه میکروسکوپی الکترونی روبشی عمل مي‌کند با اين تفاوت که در دستگاه‌هاي FIB به جاي اشعه الکتروني از اشعه يون‌هاي گاليم استفاده مي‌شود.

دستگاه FIB در جريانهاي پايين اشعه يون‌هاي گاليم براي تصويربرداري و در جريان‌هاي بالاي يون‌هاي گاليم براي اهداف بخصوصي مانند ماشين‌کاري و يا پاشش اتمي استفاده مي‌شود. همانطور که در شکل (1) مشاهده مي‌شود اشعه يون‌هاي Ga به سطح نمونه برخورد مي‌کند و مقداري از اتم‌هاي سطحي را به صورت يون‌هاي مثبت يا منفي و يا به صورت اتم‌هاي خنثي از سطح خارج مي‌کند. همچنین از برخورد اشعه یونهای گالیم با سطح الکترونهاي ثانويه توليد مي‌شود[1]

 

شكل 1- شماتیکی از عملکرد دستگاه FIB

 

از سيگنال‌هاي ناشي از يون‌هاي خارج شده از سطح و يا الکترون‌هاي ثانويه براي تصوير برداري استفاده مي‌شود. در جريان‌هاي پايين مقدار کمي از ماده از سطح خارج و کنده مي‌شود. بنابراين مي‌توان تصاويري با قدرت تفکيک چند نانومتر بدست آورد. در جريان‌هاي بالاتر نيز مقدار زيادي از سطح کنده مي‌شود و مي‌توان براي ماشين‌کاري مواد در مقياس زير ميکرومتر استفاده کرد.

در نمونه‌هاي نارسانا از يک تفنگ الکتروني کم انرژي براي خنثي‌سازي استفاده مي‌شود. در اين حالت همچنين مي‌توان نمونه‌هاي نارسانا را بدون پوشش‌دهي و رسانا کردن تصويربرداري و يا ماشين‌کاري کرد.

 

شکل(2) شماتیکی از ساختمان دستگاه FIB

قابل ذکر است که در دستگاه هاي SEM پوشش‌دهي نمونه‌هاي نارسانا براي تصويربرداري مورد نياز مي‌باشد. علاوه بر اشعه يوني اوليه، مي‌توان از اشعه يون‌هاي ديگر نيز بر روي نمونه استفاده کرد. اين گازها مي‌توانند با اشعه گاليم اوليه واکنش داده و به عنوان اچ کننده انتخابی سطح به کار روند و يا براي رسوب‌دهي مواد رسانا و يا نارسانا توسط اشعه يون‌هاي اوليه به کار روند.

تا به امروز بيشترين کاربرد دستگاه FIB در صنعت نيمه‌هادي بوده است. برخي از اين کاربردها عبارتند از : آناليز عيوب، بهسازي مدار، تعمير ماسک‌ها و آماده سازي نمونه‌هاي TEM.

امروزه FIBها قدرت تفکيک بالايي دارند و مي‌توان از آنها براي ماشين‌کاري نمونه‌ها به صورت درجا استفاده کرده و همچنين در حین ماشینکاری از نمونه تصويربرداري کرد. علاوه بر کاربردهاي FIB در نيمه‌هادي‌ها اين دستگاه در علم مواد نيز کاربردهاي بسيار زيادي دارد. از قبيل اندازه‌گيري رشد ترک، تغيير فرم کامپوزيت‌هاي زمينه فلزي، چسبندگي پوشش‌هاي پليمري و غيره

قابليت‌هاي دستگاه FIB در نيمه‌هادي‌ها و مهندسي مواد: [2]

1- اچ کردن به کمک گازهاي XeF و XeCl 

2- رسوب‌دهي فلزات

3- ماشين‌کاري مواد تا قدرت تفکيک چند ده نانومتر

4- تصويرگيري از سطوح با استفاده از الکترون‌ها و يون‌هاي ثانويه( اين تصاوير مي‌توانند با تصاوير SEM رقابت داشته باشند).

5- تصويرگيري از کنتراست دانه‌ها بدون اچ کردن ماده 

6- بررسي وضعيت شيميايي سطوح به خصوص در مطالعات خوردگي 

7-مقطع زني و تصوير برداري از سطوح 

مراجع: 

1- http://www.fibics.com

2- http://www.iisb.fraunhofer.de

 

ضمیمه1- لیست مدل های جدید دستگاه FIB

اسم

مدل

شركت

كشور

قدرت تفكيك

FIB

Accura TM850+

FEI company

آمريكا

قطر اشعه 20 نانومتر

FIB

Accura TMXT

FEI Company

آمريكا

قطر اشعه 20 نانومتر

FIB

×1s40

Zeiss

آلمان

7 نانومتر در 30 تا( 5 نانومتر هم مي‌توان رسيد)

FIB

×1S60

Zeiss

آلمان

7 نانومتر در 30 تا( 5 نانومتر هم مي‌توان رسيد)

FIB

1S40ESB

Zeiss

آلمان

7 نانومتر در 30 تا( 5 نانومتر هم مي‌توان رسيد)

FIB

SEIKOFIB

Jeol

آمريكا

قطر اشعه 10 نانومتر

FIB

JFS-98SSS

Jeol

آمريكا

قطر اشعه 10 نانومتر

FIB

JEM-931OFIB

Jeol

آمريكا

8 نانومتر در 30

FIB

SMI2000

SII Nano technologyInc

ژاپن

5 نانومتر در 30

FIB

SMI3050

SII Nano technologyInc

ژاپن

4 نانومتر در 30

FIB

SMI3200

SII Nano technologyInc

ژاپن

4 نانومتر در 30

FIB

SMI3300

SII Nano technologyInc

ژاپن

4 نانومتر در 30

FIB/SEM

SMI30SOSE

SII Nano technologyInc

ژاپن

4 نانومتر در 30

FIB/SEM

SMI320OSE

SII Nano technologyInc

ژاپن

4 نانومتر در 30

FIB/SEM

SMI330OSE

SII Nano technologyInc

ژاپن

4 نانومتر در 30

 

نويسنده : علي اصغر عرب 
منبع
: ایران نانون


 

 

 

 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 

26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40

آخرین مقالات


 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

LEIBNITZ'S MONADS & JAVADI'S CPH

General Science Journal

World Science Database

Hadronic Journal

National Research Council Canada

Journal of Nuclear and Particle Physics

Scientific Journal of Pure and Applied Science

Sub quantum space and interactions from photon to fermions and bosons

آرشیو موضوعی

اختر فیزیک

اجتماعی

الکترومغناطیس

بوزونها

ترمودینامیک

ذرات زیر اتمی

زندگی نامه ها

کامپیوتر و اینترنت

فیزیک عمومی

فیزیک کلاسیک

فلسفه فیزیک

مکانیک کوانتوم

فناوری نانو

نسبیت

ریسمانها

سی پی اچ

 فیزیک از آغاز تا امروز

زندگی نامه

از آغاز کودکی به پدیده های فیزیکی و قوانین حاکم بر جهان هستی کنجکاو بودم. از همان زمان دو کمیت زمان و انرژی بیش از همه برایم مبهم بود. می خواستم بدانم ماهیت زمان چیست و ماهیت انرژی چیست؟


 

 


يکشنبه 1 دي 1392

22 December, 2013 13:27

free hit counters

Copyright © 2013 CPH Theory

Last modified 12/22/2013